3D PLUS社
3D PLUS社は1995年末に設立され、コンポーネントを3次元的に高密度でパッケージし、コンポーネントの体積をドラスチックに小さくし、電気的性能を高め、そして厳しい環境でも耐えられる製品を作っています。
すべてのコンポーネントを3次元で相互接続する技術は、1989年にフランスのThomson-CSF社で確立しました。既存の従来型2次元接続に比して、この技術は体積や重量を10分の1以下にすることが出来ます。
発足時期から、主要な有名大学と重要なカストマとのコラボレーションで行われた強力なR&Dや製品・サービスの技術革新は、3次元技術能力ドメインおよび製品の範囲を拡大し、特許を取るまでになりました。
2012年には、スペースの55000を超えるモジュール、および失敗のない13年間以上のフライト遺産で、3Dプラスが、ヨーロッパで最大のスペース資格のあるカタログ製品およびカスタムのシステム・イン・パッケージ(SiPs)メーカーとして認められました。
クロニクスは3D PLUS社の全製品の代理店です。
技術概要
3D技術はZ次元に沿って積み重ねられた電子装置を連結することから成り立っています。 以下のイラストのように、電子装置は、最初に、お互いに水平レヤーに置かれて連結されます。レヤーは次に、垂直に積み重ねられて、垂直の内部接続技術を使用して連結されます。
特許を取ったリーディングエッジ積層技術は、標準パッケージの寸法から使用し始め、ダイ寸法やウエハーレベルの積層過程にも使用されています。
詳細な処理の流れは異なる場合がありますが、3D Plus社の積層技術は全て同じ4つの主要な原則に従っています。
- 異種の非変更の標準のダイ、ウエハース、パッケージ、および受動素子の n-High 積層(n個の積層を意味する)
- 積層前に各層の試験/スクリーニングの実施
- 高信頼性のバス金属とエッジの連結テクニック(コールドプロセス)
- 非常に簡単でよく立証された技術の使用
それらは、既存のソリューションと比較しコンポーネントのサイズや重量を少なくとも10分の1にしています。そして、1mm以内に最大10個の半導体デバイスを積層する能力のある3D
Plus Ultra Low Profile Modulesは他と比較できない小型軽量です。
標準パッケージスタック
このプロセスは、N層のどんな標準パッケージも積み重ねる機能があります。 それは超小型で、高信頼性で、厳しい環境にも高耐性を示します。
ダイ(チップ)が得られないか、あまりに高価で調達や試験ができない時でさえ、積層を可能にするように3D Plus社によって開発されたもので、特許を得たものです。さまざまなメモリスタックのためのTSOPパッケージで主に使用されていて、SOT、Flat Packまたは、より大きいピンカウントPQFPパッケージなどに、この標準パッケージ積層技術を使用できます。
TSOP積層能力はFLOW1として参照されており、欧州宇宙機関(ESA)によって宇宙用アプリケーションに認可されています。
フレックスプロセス ー ダイスタック
このプロセスは、異なった寸法でも標準ダイをn層積層できます。 バイパスコンデンサーのような受動素子は、強化されたシグナルインテグリティと電気的性能のためのにモジュールに埋め込むことができます。
それは、ダイが利用可能であり、超小型化が必要であるとき、スタックを可能にするために3D Plus社によって開発されて、特許を取ったものです。
この技術は、FLOW2として参照され、フレックス層の概念を使用しています。 ダイとバイパスコンデンサは、最初にフレックスと呼ばれる層に取り付けられ、お互いに接続され、そして、フレックスウイングコネクションに接続されます。
積み重ねる前に、それぞれの層の電気テストとスクリーニングを可能にします。 これは、n層の積層後良好な結果を得るための重要なものです。フレックスは、次に、垂直に積み重ねられて、垂直内部接続技術のテクニックを使用して接続されます。
厳しい環境での高信頼性と高耐性により、このダイ積層技術は宇宙応用に既に使用されています。
フレックスプロセス ー SiP積層
この特許取得済みのプロセスは、どんな異種のアクチブデバイス、パッシブデバイス、光電子デバイス及びMEMS/MOEMSデバイスを1個の超小型パッケージにn層積層でき、異種技術(標準無修正ダイかサイズの異なったパッケージ)の融合にほとんど制限がない独特な能力があります。
この3D技術は一般に、幅35mmの、いわゆるフレックスと呼ばれるフィルム層に電子部品(チップ、プラスチック・パッケージ、センサ)の積み重ねに基づいています。このソリューションで、スタッキングする前に、それぞれの層の部品をテストやスクリーニングができます。 これは、n層の積層後良好な結果を得るための重要なものです。フレックス層は、次に、垂直に積み重ねられて、垂直内部接続技術のテクニックを使用して接続されます。
この技術で、既存のソリューションと比較して、コンポーネントの重さとボリュームを少なくとも1/10にします。
これは、複雑なSystem-In-packages(SiPs)を造るための最も効率的な技術です。 それはモノリシックなSystem-on-Chip
(SoC)アプローチができない組み合わせを可能にし、低価格と開発期間の短縮を実現します。 この能力は、FLOW2として参照され、欧州宇宙機関(ESA)によって宇宙用アプリケーションに認可されています。
ウェイハーレベルスタック ー WDoD™
標準ウエハ(TSV"Si貫通電極"なしダイ)の使用に基づき、WDoD™(Wirefree Die-on-Die)と名付けられた3d plus社の特許取得済みのウエハレベルスタック技術は、どんな種類のダイ(技術プロセス、サイズや厚さ)をn層スタック出来るユニークな能力を持っている。
この技術は既存の他の3Dモジュールに比較して、重さと体積を1/25〜1/100にします。
積層前の試験とバーンイン(Good Rebuilt Wafer conncept)と平行した製造プロセスにより
、WDoD™は複雑なシステムインパッケージ(SiPs)を造るための最も効率的な技術です。 それはモノリシックなSystem-on-Chip
(SoC)アプローチができない組み合わせを可能にし、低価格と開発期間の短縮を実現します。
WDoD™技術は2002年以来内部の研究開発部門で開発されています。WDoD™技術は
また、2006年にローマでEUREKAから"LXNX"賞を受け、Eureka/Pidea Program "WALPACK"やEureka/Pidea Program "e-CUBES"のような複数の関連するヨーロッパプロジェクトの重要な核心でした。
WDoD™技術はFLOW 3として参照されています。
3Dスタックのロードマップ
標準パッケージ、Die、"TPV"(Thru-Polymer Via)に基づいたウェイハーレベルの積層のロードマップは、SiP(System in Packege)、フォームファクター及びレベルシックネスの点で、3D Plus社の現状と将来の能力を示しています。
アプリケーション概要
3D Plus 社は明日の省スペース型の技術駆動のアプリケーションのために飛躍的利益をもたらす複雑なシステムインパッケージを提供します。
3D Plus 社の技術は容積の小さいものから産業用の容積の大きい物まで広範囲に渡っています。
3D Plus 社の製品と技術は地上、空、そして宇宙の世界中で使用されています。
宇宙
電気的性能、小型化、品質、高信頼性、そして放射能保証レベル(TID、SEL、SEU)が認められ3D Plus3社のスペース製品及びカスタムSiPはすべての宇宙応用分野で世界中で使用されています
(通信、ナビゲーション、地球観測、地球観測、気象観測、宇宙輸送、および科学)。
詳細な説明
航空機とアビオニクス
非常に厳しい環境(熱、振動、および衝撃)の中で信頼性、品質、高性能に力を入れた結果、3D Plus社の標準品やSiPは様々な航空機やアビオニクスに最適です。
詳細な説明
防衛と安全
3D Plus社の専門知識は、高性能、高信頼性、最高品質と長期使用可能製品を必要とするミッションクリティカルな防衛およびセキュリティアプリケーションの心臓部です。 3D Plusのソリューションは、大型機器からモバイルやウェアラブルエレクトロニクスまで広範囲のアプリケーションに適用できます。
詳細な説明
コンピュータボードと組み込みシステム
組み込みシステムに使われる標準コンピュータボードとメモリボード/カードの要件を理解して、3D Plus社は、低消費電力、高密度、費用有効性や市場への早期投入など、幅広いソリューションを提供しています。
詳細な説明
産業
3D Plusカタログ製品やSiPは、非常に過酷な環境(高温、熱サイクル、振動、衝撃)の下で信頼性のある小型化、性能及び作動が必要なアプリケーションで使用されています。
詳細な説明
医療と科学
3D Plus 社の SiP製品は、超小型化と信頼性により、非常に敏感なセンサエレクトロニクスの限界を押しのけて、他の技術では不可能な医療や科学のアプリケーションに使用されています。
詳細な説明
製品一覧
3D Plus社は、メモリー、POLコンバータ、インターフェース、周辺機器および保護IC、産業用メモリー、ソリッドステートドライブ、カメラヘッド、及び、より複雑なシステムーインーパッケージ(SiP)ソリューションなど、放射線耐性製品のフルラインナップを提供しています。
最先端の積層技術、承認されている設計、製造およびテストにおけるノウハウは3D Plus社製品の基盤であり強みであります。そして、それらは顧客の電子機器の設計に画期的なメリットをもたらします:
- 極端な小型化/非常に小さなフォームファクタ
- 非常に高密度
- 高性能/超高速/優れたシグナルインテグリティ
- 高信頼性
- 過酷な環境と宇宙放射線に対する堅牢さ
- スペース資格と非常に大規模なフライトの遺産
3D Plus社のカタログ製品とSiPソリューションは、多様なニーズに対応し、産業用コンピューティング/通信、安全と防衛、航空電子、医療、宇宙市場で最も要求の厳しいアプリケーションの要件を満たしています。
放射線耐性メモリー
3D Plus社の製品ポートフォリオは、SRAM、SDRAM、DDR-SDRAM、DDR2-SDRAM、PROM、EEPROM、MRAMおよびFLASHメモリーを含んでいます。
それらは、高密度、高速、高信頼性、耐放射能、および最小形状として認識されて、宇宙用として認証されているメモリースタックはすべての宇宙応用分野で使用されています。
放射線耐性メモリーIP
DDR2/DDR3放射インテリジェントメモリコントローラIPコアは、放射線硬化DDR2ソリューションを達成するために、3D PLUS DDR2 メモリモジュールで動作するように設計されています。
Controller IP Core
放射線耐性インターフェース
3D Plus社の耐放射性LVDSラインドライバとレシーバは、宇宙用ボード"デザインのために面積の最大活用と軽量化を可能にする高度に小型化されたパッケージに8個または16個のLVDSチャネルを埋め込んでいます。それらは、いろんな温度範囲のものを、3.3Vまたは5Vの単一電源で使用可能です。
デバイスは、高抵抗のSMTアセンブリ用や過酷な熱的、機械的な環境に耐えるための標準SOPのフットプリントで提供されています。
3D PlusのLVDS製品は、すべての宇宙応用分野(科学や深宇宙ミッション、地球観測、ナビゲーション、ランチャーや有人宇宙船)における高性能デジタルエレクトロニクスのさまざまな高速ポイントツーポイントインターフェイスに使用されます。
LVDS
LVT
Serializer/Deserializer
放射線耐性POLコンバータ
3D Plus社のポイントオフロードDC/DCコンバータは高性能、高信頼性、小型、および軽量性を宇宙利用のために提供しています。
現在ほとんどあらゆるデジタル・システムで利用可能な5Vから、非常に高効率で1.22Vから4Vまで調整可能なただ一つの出力電圧を提供します。
高速度のコントロールループは、最新の高速なASICs、FPGAs、およびMemoryデバイスで一般的に見られる高い負荷変動の下でも、出力電圧を一定の電圧変動に保ちます。
POLコンバータは過負荷、入力電圧の不足、及び内部加熱に対して完全に保護されています。 外部のON/OFFコマンドとSoft
Start機能はどんな電源のON/OFFセーケンスも可能にします。 パワーGood信号は、モジュール調査に利用可能であり、パワーオンリセットにも利用されます。
入出力EMCフィルタは、直接デジタルボードでモジュール実現を簡素化して、そして、宇宙応用ボードのデザインのために領域の最大利用と軽量化を可能にするために統合されます。
高抵抗SMTアセンブリと厳しい熱的、そして、機械的な環境に耐えるために14ピンガルウイングSMDパッケージで
POLコンバータを提供します。
高速で低電圧のデジタルエレクトロニクス(FPGA、DDR、およびDDR2 SDRAM メモリー)の電源とさまざまな分配されたパワー・システムでPOLコンバータ製品を使用できます。
耐放射能POLコンバータ
耐放射線周辺機器及び保護IC
高性能の半導体デバイスは、宇宙環境における放射線にさらされると、シングル・イベント・ラッチアップ(SEL)に敏感になります。 SELは非常にまれなイベントであっても、それは、デバイスの自己破壊につながることができ、アプリケーションの適切な信頼性と寿命を確保するために緩和されなければなりません。そのため、ミッションクリティカルな宇宙アプリケーション用の安全設計はラッチアップ電流リミッタ(LCL)と呼ばれる保護装置が無ければなりません。
3DPM0168 LCLは、半導体装置の電源ラインをモニタし、過電流と過熱から素子を保護するために,何らかの過電圧または "radiation induced SEL"の場合には瞬時にそれをオフします。
特定の放射線の影響を軽減するための技術を特色にし、宇宙機器用デザインのディレーティングルールを利用し、3DPM0168 LCLによるハードラッドはITARフリー製品であり、80 Mev.cm2/mgと50krad(Si)のTIDのSEL / SEE LETthを備えています。
3DPM0168は3D Plus社の高信頼性アプリケーション向けに設計されたスペースのために承認された積層技術で製造されており、コンパクトなサイズと軽量20ピンSOPパッケージで提供されています。
Current Limiter (LCL)
Termination Regulator (DDR2 TR)
耐放射線カメラヘッド
3D PLUS社は、宇宙用途のための高度なCMOSカメラを開発しました。CMOS技術は、高集積レベル、低消費電力、過酷な環境での優れた動作のために選択されています。カメラの底面には、システムへのリンクを確保するためにフレックスを接続できるPGAアレイが含まれています。
>4Mpx CMOS Camera
産業用メモリ
3D Plus社の産業用メモリスタックには高密度の広いラインアップ、費用対効果がよいDDR2 SDRAM、DDR3
SDRAM、FLASH、およびNvRAMメモリーがあります。 3D Plus社の高度な積み重ね技術のおかげで、今日、高信頼性と省スペース型の技術を駆使したのアプリケーションのために次世代のメモリ密度を可能にします。
産業用ソリッドステートドライバー(SSD)
μSSDは、高密度、高性能、完全に統合された、埋め込まれたフラッシュソリッドステートドライブです。それは、統合されたコントローラとコンパクトなBGAパッケージに2個または4個のSLC NANDフラッシュを組み合わせたものです。
この製品は、衝撃や温度に耐性が有り、高い信頼性を必要とするアプリケーションに最適です
Micro SSD PATA
組み込みプログラマブルモジュール
3D PLUS社のエ3D PLUSエンベデッド・プログラマブル・モジュールは、数十年の3D革新の成果です。このソリューションは、単一のコンポーネントと同じフォームファクタのままで、完全なサブシステム(FPGA、ブートメモリ、揮発性メモリ、および受動部品)を統合しています。
FUSIOファミリは、完全に検証された汎用のバックボーンを提供しており、ミッションクリティカルなボードに実装する準備ができています。
マイクロカメラヘッド
3D Plus社の製品には非常に軽量で小型化された1/6インチと1/10インチのCCDカメラヘッドとその カメラコントローラユニットがあり、それらはPALとNTSCビデオ規格で利用できます。それらは、高解像度と高感度、低スミアーと低暗電流そして優れたアンチブルーミーミング特性を持った最先端のCCDセンサを埋め込んでいます。
組み込まれているインターフェース電子回路は、長いケーブルを駆動する能力と素晴らしいシグナルインテグリティをマイクロカメラヘッドに与えます。10メートルまでのケーブルをカメラヘッドとバースステーション間に接続できます(20メートルまでのケーブルも特別な要求で可能です)。
マイクロカメラは厳しい環境アプリケーション(振動、衝撃、温度、湿度)のための特許の積層技術が使用されています。
DSP制御電子ボードがカメラヘッドに接続され、色、明るさ、コントラスト、および画像ウィンドウセットアップのような設定とコントロール機能が可能です。
カメラヘッドと電子ボードは様々な長さのケーブルの完全なOEMビデオシステムとして提供することが出来ます。
3D Plus社のマイクロカメラヘッドは画質が絶対に必要なものである、ビデオ内視鏡アプリケーション、ロボット工学、および組立検査機器に使用されます。
マイクロカメラヘッド
システムインパッケージ - SiP
システムインパッケージ(SiP)は、ただ一つの非常に小型化されたパッケージの中に多数の集積回路が埋め込まれています。
SiPは電子装置の機能の大部分を実行し、そして、それはいくつかのシリコンコンポーネント(ベアーダイまたはパッケージ)と受動素子を含むことができます。
3D Plus社はSiPの概念分析、デザイン、製造、およびテストなど全てを提供しています。
SiPの最新の積層技術は、異種の技術(ダイーパッケイジー受動)の組み合わせに制限のないただ一つの非常に小型化されたパッケージの中に、最も良い標準の半導体装置と技術をもたらします。
モノリシックシステムオンチップ(SoC)で実現できない組み合わせを達成し、最初から正しいやり方で進める設計と開発方法を採用することにより、3D
Plus SiPスタックは、より効果的であり、また、開発費が安く開発時間も短いです。
システムインパッケージ
- SiP